一种铱单原子催化剂、其制备方法及应用

Affilication of Author(s):

中国科学技术大学

Teaching and Research Group:

能源催化与原位表征研究组

School Sign:

中国科学技术大学

Patent description:

本发明提供一种铱单原子催化剂，包括羟基氧化钴衬底和单分散的生长在所述羟基氧化钴衬底表面氧原子的三重中空位点处的铱原子。本发明中的羟基氧化钴表面分布有氧原子，利用线性伏安扫描法，在负电压驱动条件下，电解液中的正离子基团IrCl3+选择性的生长在带有负电的表面氧的三重中空位点处，与三个氧原子配位，形成稳定的Ir‑O化学键。单原子Ir通过Ir‑O化学键与衬底之间形成强电子相互作用，改变了活性中心的电子结构，使其具有更强的亲电子性，有利于增强对析氧反应中氧中间体的吸附，表现出了优于商用析氧反应催化剂氧化铱的催化活

Type of Patent:

Invent

State of Patent:

Authorized patents

Application Number:

CN114045524A

Authorization number:

ZL202111468747.6

Service Invention or Not:

no

Application Date:

2021-12-03

Publication Date:

2022-02-15

Authorization Date:

2023-04-21