手机版
通用链接
English
搜索
关联电子材料实验室
首页
团队领导
团队
教师
特任副研究员
博士后研究员
博士研究生
硕士研究生
研究方向
团队动态
新闻资讯
通知公告
科研成果
论文成果
专利成果
获奖信息
科学研究
科研项目
人才培养
banner相册
我的链接
关于我们
更多
论文成果
当前位置:
关联电子材料实验室
>
科研成果
>
论文成果
Quantum Hall Effect in Electron-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors
发布时间:2022/03/28
点击次数:
发表刊物:
Nano Letters
合写作者:
F.Y.Yang, Z.C.Zhang, N.Z.Wang, G.J.Ye, W.K.Lou, X.Y.Zhou, K. Watanabe, T. Taniguchi, K.Chang, X.H.Chen,Y.B. Zhang
论文编号:
74
卷号:
18
页面范围:
6611-6616
是否译文:
否
发表时间:
2018/01/01
上一条:
Gate-tunable Room-temperature Ferromagnetism in Two-dimensional Fe3GeTe2
下一条:
Observation of superconductivity in structure-selected Ti2O3 thin films