中国科学技术大学关联电子材料实验室--关联电子材料实验室-- Influence of doping level on the Hall coefficient and on the thermoelectric power in Nd2-xCexCuO4+delta

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发布时间：2022/03/28点击次数：

发表刊物：Physical Review B

合写作者：C.H. Wang, G.Y. Wang, T. Wu, Z. Feng, X.G. Luo, X.H. Chen

论文编号：346

卷号：72

页面范围：132506

是否译文：否

发表时间：2005/01/01

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